美光科技

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在人工智能浪潮持續推動下，美國存儲芯片巨頭美光科技(MU.US)交出了一份遠超市場預期的業績，但高強度資本支出計劃令投資者情緒趨於謹慎，公司股價在盤後交易中下跌2%。

智通財經APP獲悉，財報顯示，截至2月26日的2026財年第二財季，美光營收同比大幅增長至238.6億美元，較去年同期的80.5億美元接近翻三倍，遠高於市場預期的200.7億美元；調整後每股收益爲12.20美元，也顯著超過預期的9.31美元。淨利潤大幅躍升至138億美元，上年同期僅爲15.8億美元，盈利能力顯著改善。公司毛利率亦大幅提升至74.4%，較去年同期的36.8%實現翻倍增長。

強勁業績主要受益於人工智能需求爆發帶來的存儲芯片緊缺。隨着生成式AI快速發展，對數據中心算力的需求激增，推動以英偉達(NVDA.US)GPU爲代表的AI芯片出貨增長，而每一代AI芯片對存儲容量的需求持續提升，進一步加劇了DRAM和NAND供需緊張。美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示，AI驅動的存儲需求增長、結構性供給約束以及公司執行力的提升，共同推動了業績和指引的大幅上調。

從業務結構來看，公司雲計算相關存儲收入同比增長超過160%，達到77.5億美元，而移動及PC業務收入也從去年同期的22.4億美元躍升至77.1億美元，顯示需求復甦疊加AI週期對傳統業務同樣形成支撐。

展望未來，美光給出了更爲樂觀的業績指引。公司預計第三財季營收將達到約335億美元，同比增幅超過200%，調整後每股收益約爲19.15美元，遠高於市場預期的243億美元營收及12美元左右的每股收益水平。公司同時強調，隨着AI發展，計算架構將愈發依賴存儲資源，美光將成爲這一趨勢的重要受益者。

不過，伴隨需求爆發而來的，是資本開支的顯著提升。公司預計本財年資本支出將超過250億美元，高於市場此前預期的224億美元，並預計到2027財年支出將進一步大幅增加，尤其是晶圓廠建設相關投入將額外增加逾100億美元。目前，美光正在美國愛達荷州和紐約州推進大型晶圓廠項目，其中愛達荷工廠預計於2027年中投產，而紐約總投資高達1000億美元的項目則預計在2028年下半年實現產出。

與此同時，美光正加速推進下一代高帶寬存儲(HBM)產品佈局。公司已在本財年第一季度開始爲英偉達下一代Vera Rubin架構量產HBM4，並計劃在2027年推出升級版HBM4e產品。隨着AI算力需求持續升級，HBM已成爲行業利潤最高的產品之一，推動廠商將更多產能向該領域傾斜。

然而，市場對美光的長期增長仍存在一定不確定性。作爲AI算力核心廠商，英偉達在未來產品中對HBM供應商的選擇，將對美光產生重要影響。若其在後續架構中減少對美光產品的依賴，可能對公司構成衝擊。

行業層面，存儲芯片供給緊張已對整個科技產業鏈產生溢出效應。由於廠商優先保障高利潤的HBM產品，傳統存儲產品供應趨緊，價格持續上漲。惠普(HPQ.US)此前表示，存儲芯片價格在當前季度已接近翻倍。SK集團董事長崔泰源也預計，全球半導體供需失衡可能還將持續四至五年。